简介

方向介绍:聚焦于高密度集成电路封装介质材料的开发和应用,包括基板内埋式高介电、低损耗薄膜电容材料和模块,适应精细电路、加成法工艺的IC封装基板材料(CBF),以及面向MLCC的高性能纳米粉末开发和MCLL器件提升方案。

目前科研进展

1.开发的平板型薄膜电容成套配方与工艺技术授权广东省材料领域知名上市公司使用,进行批量生产和用户验证,该平板型电容将实现与PCB的工艺集成,预计2020年底之前将至少占有30%的国内市场份额。该项目得到国家重点研发计划(2017YFB0406300)等项目经费资助。

2.基于钽箔刻蚀和阳极氧化工艺研发的薄片状钽电解电容目前在3V的工作电压下已取得电容密度>100 nF/mm2,厚度<50微米的阶段性进展。该薄片状钽电容经反复验证,性能稳定。

3.通过构建具有等电子陷阱的纳米微粒,将其引入聚合物基体中,由于等电子陷阱对载流子运用的限制作用,显著提高了复合薄膜的介电击穿性能(10.1016/j.compscitech.2020.108201)。